文献

J-GLOBAL ID：202002268809238993   整理番号：20A1068661

超スケール障壁層を持つ銅相互接続における抵抗と信頼性の傾向【JST・京大機械翻訳】

Via resistance and reliability trends in copper interconnects with ultra-scaled barrier layers

著者 (5件)： Lanzillo Nicholas A. (IBM Research, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  Motoyama Koichi (IBM Research, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  Huang Huai (IBM Research, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  Robison Robert R. (IBM Research, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  Spooner Terry (IBM Research, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 16  ページ： 164103-164103-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超スケール拡散障壁と濡れ層を持つCu相互接続における抵抗変調を介した実験と理論の組合せ研究を示した。特に,1nm以下のTaNベース拡散障壁の厚さの減少は抵抗による測定の減少をもたらし,一方,1nm以下のCo濡れ層の厚さを減少させると,抵抗を介して実質的に影響しないことを実証した。これらの結果を第一原理輸送計算を用いて説明し,厚さ1nmのTaN層が1nm厚のCo層よりも電子のブロッキングにより効果的であることを示した。時間依存絶縁破壊の測定は,厚さ1nm以下のTaN又はCo層のいずれかのスケーリングが劣化した信頼性をもたらすことを示した。これらの結果は,1nm以下のCo濡れ層の厚さのスケーリングには最小値があるが,1nm以下のTaN拡散障壁のスケーリングは性能と信頼性の間のトレードオフをもたらすことを示唆する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *信頼性 ,  *銅 ,  *相互接続 ,  時間依存性 ,  拡散障壁 ,  第一原理
準シソーラス用語： *バリア層 ,  濡れ層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： スケール ,  障壁層 ,  銅 ,  相互接続 ,  傾向