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J-GLOBAL ID：202002268838037226   整理番号：20A1885770

温度特性を考慮したアモルファスInGaZnO TFTのための解析的ドレイン電流と静電容量モデル【JST・京大機械翻訳】

Analytical Drain Current and Capacitance Model for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Temperature Characteristics

著者 (6件)： He Hongyu (School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang, China) ,  Xiong Chao (School of Photoelectric Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou, China) ,  Yin Junli (School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang, China) ,  Wang Xinlin (School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang, China) ,  Lin Xinnan (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China) ,  Zhang Shengdong (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 9  ページ： 3637-3644  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の解析的ドレイン電流と静電容量モデルを開発した。a-IGZO薄膜のエネルギーギャップにおける深いおよびテールトラップ状態を考慮した温度特性を記述するため,数値Pao LagranShモデルを示した。数値モデルは,サブ閾値領域および上記の閾値領域の両方でTFTに対して成功した。サブ閾値領域では,深いトラップ状態のトラップされた電子濃度がPoisson方程式を支配することを考慮して,表面電位ベースの解析モデルを示した。上記の閾値領域では,閾値電圧ベースの解析モデルを示した。サブ閾値モデルと上記の閾値モデルを結合するために滑らかな関数を適用して,解析的コンパクトモデルを得た。コンパクトなモデルを,数値Pao Lagrang Sahモデルと253から393Kまでの利用可能な実験データによって確かめた。さらに,電界効果移動度の温度特性を論じた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  薄膜 ,  表面電位 ,  薄膜トランジスタ ,  *非晶質 ,  Poisson方程式 ,  *静電容量 ,  解析モデル
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  コンパクトモデル ,  閾値電圧 ,  *ドレイン電流 ,  数値モデル ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  電子濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 温度特性 ,  アモルファス ,  TFT ,  解析 ,  ドレイン電流 ,  静電容量 ,  モデル