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J-GLOBAL ID：202002269055577428   整理番号：20A0528373

有機金属化学蒸着によるGaNナノワイヤ上の非極性GaInN/GaN多重量子シェルの制御された合成【JST・京大機械翻訳】

Controlled synthesis of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells on GaN nanowires by metal-organic chemical vapour deposition

著者 (14件)： Lu Weifang (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Goto Nanami (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Murakami Hedeki (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Sone Naoki (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Sone Naoki (Koito Manufacturing Co., LTD., Tokyo 108-8711, Japan) ,  Iida Kazuyoshi (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Iida Kazuyoshi (Toyota Gosei Co., Ltd., Aichi 452-8564, Japan) ,  Terazawa Mizuki (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Han Dong-Pyo (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Iwaya Motoaki (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Tekeuchi Tetsuya (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Kamiyama Satoshi (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Akasaki Isamu (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Akasaki Isamu (Akasaki Research Center, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 460-8601, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 509  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤ(NW)上の非極性GaInN/GaN多重量子シェル(MQSs)を高効率発光ダイオード(LED)用に研究した。NWの成長条件を有機金属化学蒸着(MOCVD)における連続成長モードにより系統的に最適化した。m面上のIn取り込み速度は成長温度の上昇と共に減少したが,結晶品質は改善された。陰極線ルミネセンス(CL)の結果は,GaInN井戸のより長い成長時間が付加的なInに富む液滴を誘起し,MQSsの発光特性を劣化させることを明らかにした。MQS対の数が1から3対に増加するとCL発光強度とピーク波長は増加し,これは直径の増大に伴うInの取り込みの増加に起因した。障壁厚さによる直線的に増強されたCL発光強度は,GaN障壁から井戸への電子-正孔状態の増加に起因し,より大きな再結合確率をもたらした。走査透過型電子顕微鏡(STEM)の結果は,より厚い障壁シェルがInに富む液滴の形成を抑制できることを示した。全体として,高品質m面同軸GaInN/GaN MQSs構造を得ることの実現可能性はNWベースの白色およびマイクロLEDに対して有望である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  電子顕微鏡観察 ,  再結合 ,  非極性 ,  *ナノワイヤ ,  *多重化 ,  液滴 ,  陰極線ルミネセンス ,  最適化 ,  *MOCVD ,  *インジウム ,  正孔 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 発光強度 ,  発光特性 ,  結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノワイヤ ,  GaInN/GaN MQSS ,  m面 ,  CL ,  幹

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着 ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  非極性 ,  多重 ,  量子 ,  シェル