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J-GLOBAL ID：202002269107112606   整理番号：20A2342169

RF-MBEで成長させたIn_xGa_1-xN合金におけるRaman B_1(高)モードの挙動および結晶品質の評価【JST・京大機械翻訳】

Behaviour of Raman B₁ (high) mode and evaluation of crystalline quality in the In_xGa_1-xN alloys grown by RF-MBE

著者 (4件)： Bhuiyan Ashraful G (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology (KUET), Khulna, Bangladesh) ,  Kuroda Kenji (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Islam Md Sherajul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology (KUET), Khulna, Bangladesh) ,  Hashimoto Akihiro (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui, Japan)
資料名： Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)
巻： 43  号： 1  ページ： 278  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0142A  ISSN： 0250-4707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xGa_1-xN三元合金は種々の応用に対して非常に有望である。しかし,In_xGa_1-xN合金の高品質成長,特に中間In組成範囲では非常に困難である。本研究では,全In組成範囲,特にIn組成の中間範囲で,高周波分子線エピタキシー(RF-MBE)により成長させたIn_xGa_1-xN合金からのRamanスペクトルの系統的解析について報告する。RF-MBEで成長させたIn_xGa_1-xN合金では,本質的にRaman不活性であるB_1(高)モードを観測した。In_xGa_1-xN品質を評価するためにRaman不活性B_1(高)モードの挙動を調べ,In組成と成長温度により変化することを見出した。In_xGa_1-xN合金の結晶性を,B_1(高)モードの相対信号強度と半値全幅を用いて評価し,これは反射高エネルギー電子回折とX線回折分析と良く一致した。RF-MBEにより成長させたIn_xGa_1-xN合金の最適成長温度も,In組成の中間範囲で議論した。Copyright Indian Academy of Sciences 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *合金 ,  *インジウム ,  X線回折分析 ,  HF【周波数】 ,  結晶度 ,  三元合金 ,  MBE成長 ,  RHEED ,  FWHM ,  *結晶品質 ,  信号強度 ,  高品質 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *RF-MBE ,  InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： InGaN ,  RF-MBE ,  Raman B_1モード

分類 (4件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF-MBE ,  成長 ,  合金 ,  高 ,  挙動 ,  結晶品質 ,  評価