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J-GLOBAL ID：202002269118925628   整理番号：20A2763977

LiNbO_3/SiO_2/Si機能基板に基づく大結合音響波共振器【JST・京大機械翻訳】

Large Coupling Acoustic Wave Resonators Based on LiNbO3/SiO2/Si Functional Substrate

著者 (3件)： Hsu Tzu-Hsuan (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Tseng Kuan-Ju (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Ming-Huang (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 12  ページ： 1825-1828  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,広帯域ラジオ周波数(RF)剪断-水平表面音響波(SH-SAW)共振器を設計し,絶縁体層状基板上の薄膜ニオブ酸リチウム(LiNbO_3/LN)に基づく1GHz近くの35%以上の大きな有効電気機械結合(k2)を達成するために製作した。本研究では,単結晶LiNbO_3薄膜を,簡単で低コストのヘテロ音響インピーダンス導波路を形成するために,中間二酸化ケイ素(SiO_2)層を有する(100)シリコンキャリアウエハに接合した。Au電極を有する作製共振器は,3.2Ωμmから4.4Ωμm(770から1008MHz)までのスケーラブル波長を示し,k2>35%およびQ250のQ2>35%およびQを,広帯域RFフィルタリング応用に対して十分であった。さらに,SH-SAW共振器のポテンシャルを,970MHzの中心周波数,29.6%の3dB分数帯域幅,および1.8dB付近の挿入損失(IL)を有する数値合成 ladder子フィルタによって実証した。それは,更なる設計と製作最適化を通して,潜在的5G無線通信のための広帯域音響RFデバイスを開発する実現可能性を示唆した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 音響インピーダンス ,  *共振器 ,  最適化 ,  剪断 ,  単結晶 ,  薄膜 ,  金 ,  フィルタリング ,  波長 ,  二酸化ケイ素 ,  *音波 ,  挿入損 ,  無線伝送 ,  広帯域 ,  導波路

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  音響波 ,  共振器