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J-GLOBAL ID：202002269327059759   整理番号：20A2553257

多目的遺伝的アルゴリズムを用いたSiC MOSFET動作回路モデルの最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of a SiC MOSFET behavioural circuit model by using a multi-objective genetic algorithm

著者 (6件)： Bazzano Gaetano (STMicroelectronics,Catania,Italy) ,  Raffa Alessandra (STMicroelectronics,Catania,Italy) ,  Rizzo Santi Agatino (University of Catania,Catania,Italy) ,  Salerno Nunzio (University of Catania,Catania,Italy) ,  Susinni Giovanni (University of Catania,Catania,Italy) ,  Veneziano PierPaolo (STMicroelectronics,Catania,Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 2281-2286  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力変換システムの設計を行うとき,パワーデバイスの適切なモデルの使用が重要である。最適設計は,パワーデバイス挙動の高精度と,低い計算努力,特に高速シミュレーションを必要とする。以前の2つの特徴に付与されたパワーデバイスモデルは,製造の重要な追加目標である。最後に,それらはまた,ユーザによって努力を受けなかったツールを提供する。この文脈において,その端末でデバイス挙動をエミュレートする一組の方程式を含み,シミュレーションツール(例えばSPICE)で実装することが容易であるので,行動モデルは有用である。したがって,ツリーターゲットは,精度とシミュレーション負荷の間の最良の妥協,優しいユーザである。主要な問題は,モデルパラメータを迅速に選択することである。本研究では,この問題を多目的遺伝的アルゴリズムによって取り上げた。二重試験を用いて,測定とシミュレーション波形を比較した。インバータモジュールにおけるこのような比較は,提案した解の精度を強調した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *最適化 ,  シミュレーション ,  最適設計 ,  エミュレーション ,  端末装置 ,  *回路モデル ,  電力変換
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  モデルパラメータ ,  高精度 ,  行動モデル ,  多目的遺伝的アルゴリズム ,  シミュレーションツール ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多目的遺伝的アルゴリズム ,  SiC ,  MOSFET ,  回路モデル ,  最適化