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J-GLOBAL ID：202002269331069365   整理番号：20A2258228

負性容量FETに対する偏光勾配効果の解析とモデリング【JST・京大機械翻訳】

Analysis and Modeling of Polarization Gradient Effect on Negative Capacitance FET

著者 (5件)： Kao Ming-Yen (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Pahwa Girish (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Dasgupta Avirup (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Hu Chenming (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 10  ページ： 4521-4525  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TCADシミュレーションを用いた強誘電体の偏光勾配効果への新しい洞察を解析し,BSIMフレームワークに基づく負容量FET(NCFET)コンパクトモデルを用いて偏光勾配効果をモデル化する方法を示した。gの大きな値(分極勾配効果の係数)は,改善されたサブ閾値勾配,より小さいOFF電流,より小さいドレイン誘起障壁低下(DIBL),およびより小さな出力コンダクタンスをもたらした。NCFETコンパクトモデルにおける偏光勾配効果の包含は,負のDIBLと負の出力コンダクタンスの影響を正確に捉えるので,ユーザビリティを改善する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  シミュレーション ,  電流 ,  分極 ,  *偏光 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  コンパクトモデル ,  TCAD ,  DIBL ,  *ネガティブキャパシタンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 負性容量 ,  FET ,  偏光 ,  勾配 ,  解析 ,  モデリング