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J-GLOBAL ID:202002269609298752   整理番号:20A1030403

誘電体/電極界面修飾を通して空間電荷制限電流を制御することによるPt/LnO/BST/Au薄膜の大幅に増強された破壊強度【JST・京大機械翻訳】

Greatly enhanced breakdown strength of Pt/LNO/BST/Au thin films by regulating the space charge limited current though the dielectrics/electrode interface modification
著者 (6件):
資料名:
巻: 831  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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キャリア注入は,誘電体薄膜の電気絶縁破壊強度(E_b)に大きく影響する最も一般的で重要な問題である。誘電体薄膜は,通常,そのバルク型と比較して,かなり高い印加電場下で動作する。これまでに,キャリア注入の背後にある伝導機構のより洞察力のある理解を得るために多くの努力がなされてきた。最近注目されているのは,誘電体膜中の超高E_bに対するキャリア注入を抑制するために,これらの機構を制御する適切な方法を用いることに焦点を合わせている。ここでは,誘電体/電極界面修飾による束縛電子注入のための空間電荷制限電流(SCLC)の制御を目的とした簡単ではあるが効果的なアプローチを紹介した。超薄SrTiO_3(STO)層をPt/LaNiO_3/Ba_0.67Sr_0.33Ti_0.989Mn_0.003Y_0.008O_3(Mn/YドープBST)誘電体薄膜とAu電極の間に挿入した。界面修飾により,電子注入に対する誘電体/電極界面におけるポテンシャル障壁は著しく増加し,SCLCは再訓練された。STO層は膜の誘電損失をさらに低減できることも分かった。その結果,薄膜の漏れ電流は少なくとも二桁減少し,薄膜の破壊強度は,誘電定数にほとんど影響を及ぼさない未処理膜のそれの少なくとも2倍高かった。それは,誘電体薄膜の絶縁破壊強度と誘電性能を同時に改善するための潜在的戦略として役立つはずである。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  酸化物薄膜 

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