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J-GLOBAL ID：202002269751706336   整理番号：20A0428754

磁性Weyl半金属Co_3Sn_2S_2薄膜のエピタキシャル成長と輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial Growth and Transport Properties of Magnetic Weyl Semimetal Co₃Sn₂S₂ Thin Films

著者 (18件)： Li Shuhui (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Shuhui (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Gu Gangxu (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Gu Gangxu (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Enke (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Enke (Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Germany) ,  Cheng Peng (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Cheng Peng (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Feng Baojie (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Feng Baojie (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Yongqing (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Yongqing (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Yongqing (Songshan Lake Materials Laboratory, Guangdong, China) ,  Chen Lan (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Lan (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wu Kehui (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wu Kehui (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wu Kehui (Songshan Lake Materials Laboratory, Guangdong, China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 1  ページ： 126-133  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Shandite型Co_3Sn_2S_2は磁気Weyl半金属として最近報告され,二次元限界における量子異常Hall効果を実現すると予測されている。これまで,電子輸送研究はバルク結晶についてほとんど行われてきたが,超薄Co_3Sn_2S_2膜はさらなるゲート調整可能な研究とデバイス応用に望ましい。ここでは,SrTiO_3(111)基板上に厚さ18nmのCo_3Sn_2S_2薄膜の分子線エピタクシー成長を報告する。特性評価は薄膜の高品質を示した。はるかに大きな保磁力に加えて,Co_3Sn_2S_2薄膜も磁気抵抗における顕著なヒステリシスの観測を可能にし,バルク試料ではほとんど顕著ではなかった。さらに,Co_3Sn_2S_2薄膜の成長条件を調整することにより,異常Hall伝導率を2桁以上変えることができることを示した。著者らの研究は,それらの独特の電子特性のさらなる研究のために,高度に調整可能なCo_3Sn_2S_2薄膜を作製するための実行可能なアプローチを示唆する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気 ,  保磁力 ,  *磁性 ,  異常Hall効果 ,  ヒステリシス ,  キャラクタリゼーション ,  散乱 ,  磁壁 ,  *薄膜 ,  MBE成長 ,  二次元 ,  磁気抵抗
準シソーラス用語： 高品質 ,  電子輸送 ,  *Weyl半金属 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  磁性Weyl半金属 ,  Shandite ,  異常Hall効果 ,  磁壁散乱

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁性 ,  Weyl半金属 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  輸送特性