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J-GLOBAL ID:202002269754859201   整理番号:20A0905289

3D Ge凝縮により作製した3D積層歪SiGe/Siゲートオールアラウンド(GAA)構造【JST・京大機械翻訳】

3D-stacked Strained SiGe/Ge Gate-All-Around (GAA) Structure Fabricated by 3D Ge Condensation
著者 (9件):
資料名:
巻: 2019  号: DRC  ページ: 249-250  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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チャネルに高移動度材料を組み込み,多重ゲート素子に3D積層チャネルを組み込むことにより,次世代高性能CMOS技術[1],[2]を可能にすることができる。Geはその優れたキャリア移動度と軽い有効質量のために潜在的なチャネル材料である。また,Geの凝縮は,それをSiプラットフォーム上に導入する魅力的な技術であり,その優れた相溶性の結果として,より重要なことに,臨界次元(CD)[3]を制御することが容易になる。ここでは,歪緩和バッファ(SRB)[1]またはSi[4]上のGeの直接成長を必要としない3D Ge凝縮により,3D積層歪SiGe/Ge GAAデバイスアーキテクチャを作製する新しい方法を実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
音声処理  ,  医用画像処理  ,  符号理論  ,  NMR一般  ,  専用演算制御装置 

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