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J-GLOBAL ID：202002269833654264   整理番号：20A2568207

ナノエレクトロニクスのための高異方性性能を有する円形SnS_0.5Se_0.5ナノシート【JST・京大機械翻訳】

Circular SnS_0.5Se_0.5 Nanosheets with Highly Anisotropic Performance for Nanoelectronics

著者 (9件)： Tao Lin (State Key Laboratory of Superhard Material, and College of Physics, Jilin University, P. R. China) ,  Tao Lin (Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, P. R. China) ,  Yao Bin (State Key Laboratory of Superhard Material, and College of Physics, Jilin University, P. R. China) ,  Yao Bin (Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, P. R. China) ,  Wen Peiting (Institute of Semiconductors, South China Normal University, P. R. China) ,  Yue Qian (Institute of Semiconductors, South China Normal University, P. R. China) ,  Zheng Zhaoqiang (School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, P. R. China) ,  Luo Qingyi (School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, P. R. China) ,  Gao Wei (Institute of Semiconductors, South China Normal University, P. R. China)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 10  ページ： 10270-10283  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らが知る限り,硫化スズ(SnS)とセレン化スズ(SnSe)のような2次元(2D)IV_A-VI_Aモノカルコゲン化物は,層毎の方向に垂直な非対称結晶構造を有し,偏光検出,集積ディジタルインバータ,およびオプトエレクトロニクスにおける潜在的な応用につながる。近年,合金工学は,調整可能なバンドギャップ,キャリア輸送,および他の特定の特性のため,研究者の注目を浴びている。しかし,2D SnS_1-xSe_xの面内異方性電気的および光電気的性能はほとんど報告されていない。本論文では,超薄SnS_0.5Se_0.5円形ナノシート(約1.09eVの光学バンドギャップ)の代表的含有量を,計算流体力学シミュレーション解析による低圧物理蒸着の改良によって成功裏に合成した。角度分解偏光Raman分光法を用いて,アームチェア(AC)方向に沿った強いフォノン振動配向を確認した。さらに,角度依存電気的および光伝導結果は,記録された最高の伝導率(σ_zigzag/σ_armchair=19)および移動度(μ_zigzag/μ_armchair=~6.87)が,エッチングなしの合金化誘起面内非対称および丸形により達成できることを示した。SnS,SnSeおよび他の低非対称材料について記録-高い値を報告した。最後に,分極感受性検出も達成され,AC方向に沿って1064nm線形光下で最大の光電流を示し,これはSnS_0.5Se_0.5の間接バンドギャップにほぼ位置する。超薄SnS_0.5Se_0.5円形ナノシートの優れた異方性特性は,van der Waalsヘテロ構造およびディジタルインバータ,高コントラストイメージングなどの可変組成設計により,さらなる改善を示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  合金 ,  フォノン ,  分極 ,  偏光 ,  非対称性 ,  画像処理 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  合金化 ,  バンドギャップ ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *ナノエレクトロニクス ,  セレン化スズ ,  硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D SnS_1-xSe_x合金化ナノシート ,  偏光Ramanスペクトル ,  結晶配向 ,  異方性移動度比 ,  偏光感受性光応答

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノエレクトロニクス ,  異方性 ,  円形