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J-GLOBAL ID：202002269953686628   整理番号：20A0033714

InAs/GaSb量子構造の断面表面上に正確に操作されたインジウム吸着原子のトンネル分光法【JST・京大機械翻訳】

Tunneling spectroscopy of an indium adatom precisely manipulated on the cross-sectional surface of InAs/GaSb quantum structures

著者 (4件)： Suzuki Kyoichi (Fukuoka Institute of Technology, 3-30-1, Wajiro-Higashi, Higashi-ku, Fukuoka 811-0295, Japan) ,  Suzuki Kyoichi (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atshugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Onomitsu Koji (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atshugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Kanisawa Kiyoshi (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atshugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 23  ページ： 235306  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温で走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いてInAs/GaSb多層から成る量子構造の(110)断面表面上にインジウム原子操作を達成した。チップ誘起ホッピングによる位置決め,除去,および横方向変位を,InAsとGaSb層の両方で行った。操作された原子(吸着原子)の電子軌道によるElectronトンネリングは,InAs層上だけでなく,GaSb層上にも観測された。二重障壁トンネル接合による単一電子トンネリングモデルにより,STMチップからアドアトムを介したInAs伝導帯へのトンネリング過程とGaSbバンドギャップを良く説明した。InAs/GaSbヘテロ界面に非常に近い吸着原子の場合には,吸着原子を通過しないGaSb障壁を通してのInAs伝導電子状態への電子トンネリングとの干渉が観測された。吸着原子の軌道に対応するトンネルスペクトルのピークエネルギーはGaSb上の吸着原子位置に依存し,表面原子スケール構造と半導体ヘテロ構造の間の基本的相互作用を示した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多層 ,  *アンチモン化ガリウム ,  相互作用 ,  *トンネル分光法 ,  伝導電子 ,  トンネル効果 ,  低温 ,  半導体 ,  伝導バンド ,  ホッピング伝導 ,  *インジウム ,  トンネル接合 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *ヒ化インジウム ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaSb ,  量子構造 ,  インジウム ,  吸着原子 ,  トンネル分光法