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J-GLOBAL ID：202002269975196965   整理番号：20A0122162

垂直表面上の窒化アルミニウムの有機金属化学蒸着【JST・京大機械翻訳】

Metalorganic chemical vapor deposition of aluminum nitride on vertical surfaces

著者 (6件)： OEsterlund Elmeri (Aalto University, Department of Electrical Engineering and Automation, PO Box 13500, 00076 Aalto, Finland) ,  Suihkonen Sami (Aalto University, Department of Electronics and Nanoengineering, PO Box 13500, 00076 Aalto, Finland) ,  Ross Glenn (Aalto University, Department of Electrical Engineering and Automation, PO Box 13500, 00076 Aalto, Finland) ,  Torkkeli Altti (Murata Electronics Oy, Myllynkivenkuja 6, 01621 Vantaa, Finland) ,  Kuisma Heikki (Murata Electronics Oy, Myllynkivenkuja 6, 01621 Vantaa, Finland) ,  Paulasto-Krockel Mervi (Aalto University, Department of Electrical Engineering and Automation, PO Box 13500, 00076 Aalto, Finland)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 531  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直側壁上の有機金属化学蒸着(MOCVD)窒化アルミニウム(AlN)は,微小電気機械システム(MEMS)センサにおける圧電面内アクチュエーションとセンシングを実行するために用いることができる。AlN膜は側壁を最適に被覆し,最適圧電特性に対してc軸配向微細構造を有する良好な結晶品質を有する。以前のMOCVD AlN研究は,他のIII族窒化物のバッファ層としてAlNを用いることに焦点を合わせてきたが,これまで,AlN成長は大きな垂直表面では研究されてこなかった。本研究では,作製したテンプレートの垂直側壁上にMOCVDを用いてAlN薄膜を成長させ,適合性と結晶品質を特性化した。成長テンプレート作製を表面粗さに関して最適化し,共形被覆率を膜の厚さプロフィルを測定することにより解析し,結晶品質を面内XRDとTEMを用いて調べた。AlN膜は良好な結晶品質(FWHM1.70°~3.44°)と垂直Si(111)側壁上のc軸配向を有していた。しかし,膜の厚さは側壁を下方に0.8~1.2nm/μmの速度でほぼ減少した。反応器圧力を下げると共形被覆率は改善されたが,成長モードは柱状からステップ流に変化し,膜の形態も改善された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  圧電材料 ,  *MOCVD ,  X線回折 ,  反応器 ,  *窒化アルミニウム ,  薄膜成長 ,  キャラクタリゼーション ,  適応性 ,  最適化 ,  窒化物 ,  バッファ層 ,  圧電気 ,  ステップ流 ,  センサ ,  MEMS

著者キーワード (4件)： A3 有機金属化学蒸着 ,  B1 窒化物 ,  B2 圧電材料 ,  B1 窒化アルミニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 垂直 ,  窒化アルミニウム ,  有機金属化学蒸着