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J-GLOBAL ID：202002270080356465   整理番号：20A1236065

強誘電体ゲート絶縁体TFT用に溶液プロセスで作製したイットリウムドープ二酸化ハフニウム-ジルコニウム薄膜の電気特性

Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application

著者 (3件)： Mohit (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Haga Ken-ichi (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Tokumitsu Eisuke (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SM  ページ： SMMB02 (9pp)  発行年： 2020年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ti/SiO₂/Si基板上に強誘電体イットリウムドープ二酸化ハフニウム-ジルコニウム(Y-HZO)薄膜を溶液プロセスで作製した。Ptを上部電極とする金属強誘電体(MFM)構造及びインジウム錫酸化物(ITO)を上部電極とする金属強誘電体半導体(MFS)構造の両方を作製し,特性評価を行った。600°C-800°Cでアニールした溶液由来のY-HZO膜は強誘電特性を示し,分極-電圧ループ(P-V)及び容量-電圧(C-V)曲線により確認された。また,Y-HZOの強誘電特性は,ドープされていないHZO,Y-ドープされたHfO₂及びドープされていないHfO₂の強誘電特性よりも優れていた。C-V曲線は,MFSの場合はITO層の空乏を伴う明確なバタフライループを示したが,MFM構造の場合は空乏は観察されなかった。また,MFS構造では大きなメモリウィンドウが得られ,ITO電極の溶体化中に高温アニール処理を行っても強誘電体特性が観察された。これらの結果から,溶液処理したY-HZOは強誘電体ゲート薄膜トランジスタの有望な候補であることが示唆された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ゲート絶縁膜 ,  薄膜トランジスタ ,  処理 ,  *イットリウム ,  *ドーピング ,  *ハフニウム化合物 ,  *ジルコニウム化合物 ,  *金属酸化物 ,  白金 ,  電極 ,  酸化インジウムスズ ,  焼なまし ,  強誘電性 ,  ヒステリシス ,  容量電圧特性 ,  曲線 ,  溶液処理 ,  分極ヒステリシス ,  バタフライ曲線 ,  *強誘電体FET
準シソーラス用語： *強誘電体ゲート電界効果トランジスタ ,  TFT【トランジスタ】 ,  上部電極 ,  ITO ,  アニール処理 ,  強誘電特性 ,  メモリウィンドウ【半導体】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (12件)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁体 ,  TFT ,  溶液 ,  プロセス ,  作製 ,  イットリウム ,  ドープ ,  酸化ハフニウム ,  ジルコニウム ,  薄膜 ,  電気特性