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J-GLOBAL ID:202002270080356465   整理番号:20A1236065

強誘電体ゲート絶縁体TFT用に溶液プロセスで作製したイットリウムドープ二酸化ハフニウム-ジルコニウム薄膜の電気特性

Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application
著者 (3件):
資料名:
巻: 59  号: SM  ページ: SMMB02 (9pp)  発行年: 2020年07月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Pt/Ti/SiO2/Si基板上に強誘電体イットリウムドープ二酸化ハフニウム-ジルコニウム(Y-HZO)薄膜を溶液プロセスで作製した。Ptを上部電極とする金属強誘電体(MFM)構造及びインジウム錫酸化物(ITO)を上部電極とする金属強誘電体半導体(MFS)構造の両方を作製し,特性評価を行った。600°C-800°Cでアニールした溶液由来のY-HZO膜は強誘電特性を示し,分極-電圧ループ(P-V)及び容量-電圧(C-V)曲線により確認された。また,Y-HZOの強誘電特性は,ドープされていないHZO,Y-ドープされたHfO2及びドープされていないHfO2の強誘電特性よりも優れていた。C-V曲線は,MFSの場合はITO層の空乏を伴う明確なバタフライループを示したが,MFM構造の場合は空乏は観察されなかった。また,MFS構造では大きなメモリウィンドウが得られ,ITO電極の溶体化中に高温アニール処理を行っても強誘電体特性が観察された。これらの結果から,溶液処理したY-HZOは強誘電体ゲート薄膜トランジスタの有望な候補であることが示唆された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
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