文献

J-GLOBAL ID：202002270308390110   整理番号：20A1086449

III-VのCu-Cu結合をシリコンウエファに用いた高解像可視赤外InGaAsイメージセンサ

High-definition Visible-SWIR InGaAs Image Sensor using Cu-Cu Bonding of III-V to Silicon Wafer

著者 (12件)： MARUYAMA S. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  MANDA S. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  MATSUMOTO R. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAITO S. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  MINARI H. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIRANO T. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKACHI T. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJII N. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  ZAIZEN Y. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIRANO T. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  IWAMOTO H. (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 44  号： 11(IST2020 8-26)  ページ： 35-39  発行年： 2020年03月20日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *赤外線画像 ,  光吸収 ,  吸収係数 ,  赤外線 ,  フォトダイオード ,  フォトダイオードアレイ検出器 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： 光吸収率 ,  *赤外画像 ,  赤外光吸収 ,  半導体製造プロセス

分類 (2件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ウエファ ,  高解像 ,  赤外 ,  InGaAs ,  イメージセンサ