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J-GLOBAL ID：202002270423651030   整理番号：20A2319907

高電流動作のためのVバンドInP DDR IMPATT【JST・京大機械翻訳】

V-Band InP DDR IMPATTs for High Current Operation

著者 (4件)： Bhakta Jyotirmayee (IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103) ,  Mukhopadhyay S.J. (IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103) ,  Banerjee Suranjana (IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103) ,  Mitra M. (IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： UEMCOS  ページ： 1-3  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 60GHzの高バイアス電流レベルでDDR(Double Drift領域)インジウムホスフィドIMPATTダイオードのDCと小信号特性に関してシミュレーション研究を行った。ドリフト拡散モデルに基づく二重反復コンピュータ法を本研究に用いた。バイアス電流密度を0.5x108A/m2から10x108A/m2まで変化させた。結果は,バイアス電流密度を増加させると,アバランシェ領域がアバランシェ領域における接合近くのより多くの空間電荷蓄積により広くなることを示した。この挙動は,E場が3x108A/m2のバイアス電流密度の後,鋭い落下の代わりに,接合の近くで徐々に平坦になり,従って,p-i-nダイオードに接近するE-Field対距離プロファイルにおいて示される。したがって,主に発電の原因となるドリフト領域から得られた負の抵抗は,アバランシェ領域からの抵抗よりも小さくなる。従って,効率は3x108A/m2のバイアス電流密度が0.5x108A/m2で16.63%から10x108A/m2バイアス密度で3.8%まで減少する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  接合 ,  ダイオード ,  帯電 ,  IMPATTダイオード ,  ドリフト ,  *リン化インジウム ,  信号特性 ,  バイアス ,  コンピュータ
準シソーラス用語： バイアス電流 ,  大電流 ,  ドリフト拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電流 ,  Vバンド ,  InP