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J-GLOBAL ID：202002270742665789   整理番号：20A2233186

同軸イオン加速法を用いた物理蒸着【JST・京大機械翻訳】

Physical vapor deposition using a coaxial ion acceleration method

著者 (3件)： Kobayashi D. (Department of Physics, College of Science and Technology, Nihon University, Tokyo 101-8308, Japan) ,  Asai T. (Department of Physics, College of Science and Technology, Nihon University, Tokyo 101-8308, Japan) ,  Ashizawa Y. (Department of Electronic Engineering, College of Science and Technology, Nihon University, Tokyo 101-8308, Japan)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 91  号： 9  ページ： 095109-095109-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同軸電極セットを用いた電磁加速を含む新しい物理蒸着法を開発した。本研究では,同軸イオン加速法をダイヤモンド状炭素(DLC)薄膜形成に適用した。開発した方法では,堆積材料で作られた中心電極を,希ガスプラズマ電流によりスパッタし,蒸着チャンバに向けて加速した。スパッタイオンがLorentz自己力によって加速されるので,イオン注入エネルギーはプラズマ温度から別々に制御できる。さらに,希ガスが放電ガスとして使用されるので,DLC形成に一般的に使用されるガス状炭化水素は必要でない。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  希ガス ,  イオン注入 ,  プラズマ温度 ,  *蒸着 ,  *物理蒸着 ,  プラズマ電流 ,  チャンバ ,  薄膜形成 ,  *イオン加速

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子源,イオン源  (BD02020U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 同軸 ,  イオン加速 ,  物理蒸着