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J-GLOBAL ID:202002270874940517   整理番号:20A2592943

マグネトロンスパッタの真空度が高マンガンケイ素の形態に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of background vacuum on the morphology of higher manganese silicide prepared by magnetron sputtering
著者 (8件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 183-188  発行年: 2020年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
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今、異なる研究者が高マンガンシリコンの過程において選択する本底の真空度区間のスパンが過大な現状の研究に基づき、本文では、本底の真空度を変数とし、Si基板上にマンガン膜を堆積し、異なる本底真空度で得られたMn/Si膜に対してAr雰囲気アニーリング処理を行った。焼なまし前後のサンプルをSEMで特性化し、結果を分析し、適切な本底真空度パラメータを確定する。結果は,10-3Paの真空度で,アニール前の薄膜表面のマンガン粒子が著しく凝集し,真空度が10-4Paまで増加すると,凝集現象が顕著に改善されたことを示した。4×10-38×10-4Paの真空度では,マンガン粒子の分布は均一であった。しかし,真空度が7×10-5Paに達すると,膜の表面はフラグメンテーションした。スパッタリングが高マンガンシリコンのマンガン膜の調製に使用されたとき,真空度が5.7×10-47×10-5Paの範囲にあることを推奨した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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化学一般その他 
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