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J-GLOBAL ID：202002271221313590   整理番号：20A1610615

SiC VD-MOSFETにおけるシングルイベント漏れ電流機構の重イオンマイクロビーム研究【JST・京大機械翻訳】

Heavy-Ion Microbeam Studies of Single-Event Leakage Current Mechanism in SiC VD-MOSFETs

著者 (9件)： Martinella C. (Engineering Department, CERN, Geneva, Switzerland) ,  Ziemann T. (Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Stark R. (Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Tsibizov A. (Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Voss K. O. (Material Research Department, GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany) ,  Alia R. G. (Engineering Department, CERN, Geneva, Switzerland) ,  Kadi Y. (Engineering Department, CERN, Geneva, Switzerland) ,  Grossner U. (Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Javanainen A. (Department of Physics, University of Jyvaeskylae, Jyvaeskylae, Finland)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 67  号： 7  ページ： 1381-1389  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロメータ精度で市販炭化ケイ素(SiC)垂直二重拡散電力(VD)-MOSFETの放射線感受性領域をプローブするために,重イオンマイクロビームを採用した。ダイ上のビームスポットを走査することにより,漏洩電流劣化において空間周期性を観測し,調べたパワーMOSFETのストリップ構造を反映した。2つの異なる機構を分解に対して観察した。低ドレインバイアス(ゲートとソース接地)では,ゲート酸化物(JFETまたはネック領域)だけがイオン誘起漏れ電流に寄与している。特定の閾値よりも高いドレインインピーダンス源バイアス電圧での曝露では,p-n接合領域で付加的に高いドレイン漏れ電流が観測された。これは,SiCパワーデバイスにおける単一事象効果の基本的現象の理解への有用な洞察を提供する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  プローブ ,  電力 ,  マイクロメータ ,  接地 ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  放射線感受性 ,  帯板 ,  *漏れ電流 ,  接合形FET
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  パワーMOSFET ,  バイアス電圧 ,  二重拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  Vd ,  MOSFET ,  イベント ,  漏れ電流 ,  重イオンマイクロビーム ,  研究