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J-GLOBAL ID：202002271878140749   整理番号：20A0577454

DFT計算により同定したGaAs(110)における真のバルクAs-アンチサイト欠陥とSTM/STS測定による探査【JST・京大機械翻訳】

True bulk As-antisite defect in GaAs(1 1 0) identified by DFT calculations and probed by STM/STS measurements

著者 (15件)： Escano Mary Clare (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, Japan) ,  Balgos Maria Herminia (Surface and Interface Science Laboratory, RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Balgos Maria Herminia (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Nguyen Tien Quang (Institute for NanoScience Design, Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Prieto Elizabeth Ann (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Prieto Elizabeth Ann (Materials Science and Engineering Program, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Estacio Elmer (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Salvador Arnel (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Somintac Armando (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Jaculbia Rafael (Surface and Interface Science Laboratory, RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Hayazawa Norihiko (Surface and Interface Science Laboratory, RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Hayazawa Norihiko (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Kim Yousoo (Surface and Interface Science Laboratory, RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Kim Yousoo (National Institute of Physics, University of the Philippines, Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Tani Masahiko (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 511  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験的検証による第一原理法を用いてバルク特性をもつGaAs(110)の表面に近いAsアンチサイト(As_Ga)欠陥を明らかにした。第三層におけるAs_Gaは,幾何学,部分電荷密度,さらに重要なことに,バルクGaAsにおけるAs_Gaの状態密度を模倣することを見出した。特に,バルクGaAsにおけるAs_Gaにより誘起された中間ギャップ状態は,GaAs(110)の第三層におけるAs_Gaにより良く再現された。シミュレーションおよび実験STM画像は,欠陥周辺の領域に「非対称2ローブ」特徴を示した。局所状態密度(LDOS)とSTSスペクトルを用いて,第三層As_Gaに対応する特性エネルギー準位をもつ三つの顕著なピークを提案した。上記の結果は,GaAs(110)の表面近傍の真のバルク欠陥の表面電子的特徴の最初の報告である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 幾何学 ,  第一原理 ,  スペクトル ,  状態密度 ,  エネルギー準位 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *密度汎関数法 ,  非対称性 ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 局所状態密度 ,  ミッドギャップ ,  電荷密度 ,  *アンチサイト欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： アンチサイト ,  GaAs(110) ,  中間ギャップ状態 ,  DFT ,  STM ,  局所状態密度 ,  STS

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (8件)： DFT計算 ,  同定 ,  GaAs ,  バルク ,  アンチサイト欠陥 ,  STM ,  STS ,  探査