高伝導性酸化物SrMoO_3の分子ビームエピタクシー成長【JST・京大機械翻訳】

Takatsu Hiroshi; Yamashina Naoya; Shiga Daisuke; Shiga Daisuke; Yukawa Ryu; Horiba Koji; Kumigashira Hiroshi; Kumigashira Hiroshi; Terashima Takahito; Kageyama Hiroshi

文献

J-GLOBAL ID：202002271939609494 整理番号：20A1246265

高伝導性酸化物SrMoO_3の分子ビームエピタクシー成長【JST・京大機械翻訳】

Molecular beam epitaxy growth of the highly conductive oxide SrMoO₃

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著者 (10件)：

Takatsu Hiroshi

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資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

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巻： 543 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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SrMoO_3はその優れた電気伝導率のための有望な材料であるが,高品質薄膜の成長は課題のままである。ここでは,低酸素流量下で分子線エピタクシー(MBE)法を用いてSrMoO_3のエピタキシャル膜を合成した。膜と(001)配向SrTiO_3またはKTaO_3基板の間の4-8単位セルのSrTiO_3バッファ層の導入は,膜表面の不純物および/または粗さを除去するために重要であった。得られた膜は他の技術で得られた膜と比較して電気伝導率の改善を示した。SrMoO_3膜の高品質は,明確なFermi面を示す角度分解光電子放出分光法(ARPES)測定によっても検証された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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