文献

J-GLOBAL ID：202002272010442830   整理番号：20A0625389

グラフェン上のナフチル末端キャップオリゴチオフェンの表面制御結晶整列 その場X線回折による薄膜成長の研究【JST・京大機械翻訳】

Surface-Controlled Crystal Alignment of Naphthyl End-Capped Oligothiophene on Graphene: Thin-Film Growth Studied by in Situ X-ray Diffraction

著者 (17件)： Huss-Hansen Mathias K. (Department of Physics, Technical University of Denmark, Denmark) ,  Hodas Martin (Institut fuer Angewandte Physik, Universitaet Tuebingen, Germany) ,  Mrkyvkova Nada (Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Slovakia) ,  Mrkyvkova Nada (Centre of Excellence for Advanced Materials Application, Slovakia) ,  Hagara Jakub (Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Slovakia) ,  Hagara Jakub (Centre of Excellence for Advanced Materials Application, Slovakia) ,  Jensen Bjarke B. E. (Newtec Engineering A/S, Denmark) ,  Osadnik Andreas (Kekule-Institute for Organic Chemistry and Biochemistry, University of Bonn, Germany) ,  Luetzen Arne (Kekule-Institute for Organic Chemistry and Biochemistry, University of Bonn, Germany) ,  Majkova Eva (Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Slovakia) ,  Majkova Eva (Centre of Excellence for Advanced Materials Application, Slovakia) ,  Siffalovic Peter (Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Slovakia) ,  Siffalovic Peter (Centre of Excellence for Advanced Materials Application, Slovakia) ,  Schreiber Frank (Institut fuer Angewandte Physik, Universitaet Tuebingen, Germany) ,  Tavares Luciana (NanoSYD, Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark, Denmark) ,  Kjelstrup-Hansen Jakob (NanoSYD, Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark, Denmark) ,  Knaapila Matti (Department of Physics, Technical University of Denmark, Denmark)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 36  号： 8  ページ： 1898-1906  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン上に堆積した5,5′-ビス-(ナフタ-2-イル)-2,2′-ビチオフェン(NAT2)薄膜の微細構造,形態,成長を報告し,すれすれ入射X線回折(GIXRD)により特性化し,原子間力顕微鏡(AFM)測定により補完した。NAT2を2種類のグラフェン表面上に堆積した:化学蒸着(CVD)成長グラフェン層をSi/SiO_2基板上にシリコン/SiO_2上に移動させた。元のSi/SiO_2基板を参照として用いた。NAT2結晶構造と配向は,表面に強く依存し,分子は主にグラフェン表面(面上)上に横たわり,Si/SiO_2参照表面上にほぼ面外(エッジ方向)に立っていた。成長後のGIXRDとAFM測定は,結晶構造と結晶粒形態がグラフェン表面に残された高分子残基があるかどうかに依存して異なることを明らかにした。その場GIXRD測定により,結晶エッジからの(111)反射強度の厚さ依存性は堆積過程の開始でゼロにならないことを示し,1~2分子層に対応する初期濡れ層が表面膜界面で形成されることを示唆した。対照的に,結晶面からの(111)反射強度は,全堆積中の膜厚の関数として一定速度で成長する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高分子 ,  化学蒸着 ,  *アラインメント ,  *グラフェン ,  キャラクタリゼーション ,  *薄膜 ,  膜厚 ,  *X線回折 ,  界面 ,  原子間力顕微鏡 ,  *結晶 ,  *薄膜成長 ,  結晶面 ,  結晶粒 ,  結晶構造

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  末端キャップ ,  オリゴチオフェン ,  結晶 ,  整列 ,  X線回折 ,  薄膜成長 ,  研究