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J-GLOBAL ID：202002272224823087   整理番号：20A0955970

ALD駆動Hf_xTi_yAl_zOナノラミネートの界面化学と電気的性能の進展に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】

A comparative study on the evolution of the interface chemistry and electrical performance of ALD-driven Hf_xTi_yAl_zO nanolaminates

著者 (5件)： Gao Juan (School of Mechanics and Photoelectric Physics, Anhui University of Science and Technology, Huainan 232001, China) ,  He Gang ,  Hao Lin ,  Wang Die ,  Zhao Lin
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 25  ページ： 14733-14745  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,原子層堆積(ALD)により異なる化学量論比で調製した一連の三元HfTiOとTiAlO膜および四元HfTiAlO膜をSi基板上に堆積した。対応する金属-オキシド-半導体(MOS)キャパシタの電気的性能を評価するために,界面特性,バンド配列および電気特性を解析した。特性化データに基づいて,HfTiOの誘電率はTi含有量の増加により増加するが,膜品質の劣化は漏れ電流の増加をもたらすことが分かった。TiAlOでは,Al含有量が徐々に増加すると,界面品質は改善されたが,対応する誘電率は犠牲になった。HfTiAlOに関しては,HfO_2中のTiとAlの添加は,界面性能を改善し,エネルギーバンドオフセットを拡大し,誘電率を強化し,漏れ電流を同時に減少させることができた。界面分析と電気的特性化により,Hf:Ti:Al=6:1:1のALDサイクル比を持つHfTiAlOが最も優れた膜品質,界面性能と電気的性質を有することを示した。これらはより大きな誘電率,2.47eVのSiによるより大きな伝導帯オフセット,および1.11×10~5Acm-2の最低漏れ電流密度を含んでいた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  コンデンサ ,  半導体 ,  誘電率 ,  電気的性質 ,  *アルミニウム ,  ケイ素 ,  *チタン ,  酸化物 ,  伝導バンド ,  化学量論 ,  漏れ電流 ,  電気特性 ,  *界面化学 ,  バンドオフセット

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ALD ,  ナノラミネート ,  界面化学 ,  進展 ,  研究