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J-GLOBAL ID：202002273586663431   整理番号：20A2293253

ナノインプリントリソグラフィーを用いたナノ構造の大量生産におけるプロセス再現性【JST・京大機械翻訳】

Process repeatability in volume manufacturing of nanostructures utilizing nanoimprint lithography

著者 (7件)： Williams Bradley R. (MOXTEK, Inc. (United States)) ,  Pierce Jim (MOXTEK, Inc. (United States)) ,  Black Kevin (MOXTEK, Inc. (United States)) ,  Black Michael (MOXTEK, Inc. (United States)) ,  Bacon-Brown Daniel (MOXTEK, Inc. (United States)) ,  Petrova Rumyana V. (MOXTEK, Inc. (United States)) ,  Farhang Arash (MOXTEK, Inc. (United States))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11467  ページ： 114670D-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインプリントリソグラフィー(NIL)は,光学産業に対する非常に強い耐性を有するナノ構造の製造においてその価値を実証した。実験室における単一試料へのNILプロセスのドーピングは,産業と学界で長い間示された。1つの良好なサンプルから全ウエハへのスケールアップと,列の多くのウエハに対するウエハの一様性は,克服すべきいくつかの障害を持つ。本論文では,種々の他の周期的およびメタ構造を通して,基本線/空間から出発する製造ナノ構造のプロセス再現性を検討した。パタリングのためのNILを用いた製造能力の実証も,薄膜やエッチングのような他の関連するプロセス段階を含む。薄膜RI均一性,印刷複製均一性,およびポストエッチング構造臨界寸法均一性(CDU)を含む重要な計測,プロセス制御特性,およびプロセス安定性を論じた。このNILプロセスは45nmの線幅で1.0nmσを達成した。複製のこの精度は,多重スタンプ,ウエハからウエハ印刷,およびウエハ内の多重サイトから導入されたすべての変動を含む。マスキング層におけるプロセス制御のこのレベルは仕上げ構造のために維持する必要がある。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  薄膜 ,  印刷 ,  *大量生産 ,  プロセス制御 ,  複製 ,  スケールアップ ,  再現性 ,  ドーピング ,  生産能力 ,  多重化 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  線幅 ,  スタンプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノインプリントリソグラフィー ,  ナノ構造 ,  大量生産 ,  プロセス ,  再現性