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J-GLOBAL ID：202002273844034747   整理番号：20A0914136

異なる基板バイアスの下でのGaNベースバックコンバータのスイッチング損失特性化【JST・京大機械翻訳】

Switching Loss Characterization of GaN-based Buck Converter under Different Substrate Biases

著者 (4件)： Safayatullah Md (University of Central Florida,Department of Electrical and Computer Engineering,Orlando,FL,U.S.A.,32816) ,  Yang Wen (University of Central Florida,Department of Electrical and Computer Engineering,Orlando,FL,U.S.A.,32816) ,  Yuan Jiann-Shiun (University of Central Florida,Department of Electrical and Computer Engineering,Orlando,FL,U.S.A.,32816) ,  Krishnan Balakrishnan (BRIDG,200 NanoCity Way, Kissimmee,FL,U.S.A.,34744)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： WiPDA  ページ： 374-377  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる基板バイアス下でのGaNベース同期バックコンバータのスイッチング損失を特性化し,実験により解析した。高い側のGaNパワーデバイスのスイッチング損失は正の基板バイアスで増加するが,負の基板バイアスの大きさの増加とともに減少する。スイッチング損失の決定において支配的な役割を果たすゲート電荷(Qg)を,異なる基板バイアスをかけて調べた。異なるバッファトラップとQg変化の間の相関を,その基板バイアスを最適化することにより,同期バックコンバータのスイッチング損失を緩和/低減するために同定した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電荷 ,  緩和現象 ,  *窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション ,  *スイッチング損失
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *バックコンバータ ,  *基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 基板バイアス ,  GaN ,  バックコンバータ ,  スイッチング損失 ,  特性化