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J-GLOBAL ID：202002273890498455   整理番号：20A0743200

自己集合GeSe/Si(001)ナノアイランドの形態に及ぼすパルスガンマ中性子照射の影響について【JST・京大機械翻訳】

On the Influence of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Morphology of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands

著者 (6件)： Ivanova M. M. (Federal State Scientific and Production Center “Sedakov, Research Institute of Measuring Systems”, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Filatov D. O. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Nezhdanov A. V. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Shengurov V. G. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Chalkov V. Yu. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Denisov S. A. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques  (Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques)
巻： 14  号： 1  ページ： 169-175  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4669A  ISSN： 1027-4510  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siの昇華分子線エピタクシーとGeの低圧気相エピタクシーにより成長させた表面自己集合GeSiナノ島をもつGeSi/Si(001)ヘテロ構造の表面形態に及ぼすパルスγ線照射の影響を実験的に調べた。ガンマ線照射は,自己集合GeSiナノ島の形状,特にナノ島のアスペクト比の減少を引き起こすことが分かった。この効果は,γ線中性子照射の過程で発生する弾性波への曝露下でのGeSiナノ島における弾性歪緩和に関連している。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *中性子照射 ,  耐放射線性 ,  γ線照射 ,  低圧 ,  緩和現象 ,  *パルス ,  MBE成長 ,  *ケイ素 ,  γ線 ,  原子間力顕微鏡 ,  *自己集合 ,  昇華 ,  *ゲルマニウム ,  *中性子 ,  気相成長

著者キーワード (7件)： ナノアイランド ,  ゲルマニウム ,  シリコン ,  ガンマ中性子放射 ,  耐放射線性 ,  形態学 ,  原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己集合 ,  Si ,  ナノアイランド ,  形態 ,  中性子照射