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J-GLOBAL ID：202002274074707192   整理番号：20A1099166

強誘電性HfO_2ゲート絶縁体によるVO_2金属-絶縁体転移の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of VO₂ Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO₂ Gate Insulator

著者 (6件)： Yajima Takeaki (Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Yajima Takeaki (PREST, Japan Science and Technology Agency, Saitama, 332-0012, Japan) ,  Nishimura Tomonori (Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Tanaka Takahisa (Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Uchida Ken (Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Toriumi Akira (Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 5  ページ： e1901356  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 機能性材料の強誘電ゲーティングは,強誘電材料が絶縁体が悪いためにしばしば苦しんでいる。本研究では,優れた絶縁特性を有する大きなバンドギャップ酸化物である最近報告された強誘電体HfO_2を,典型的な金属-絶縁体転移材料VO_2を静電的にゲートするために開発した。劣化から準安定な強誘電相を保護することによって,強誘電体ゲートを,バックゲート構造における超薄VO_2チャネルで首尾よく実証した。VO_2チャネル伝導率の観測された変調はVO_2金属-絶縁体転移と結合したHfO_2ゲート絶縁体における強誘電分極反転から生じた。これらの結果は,基本研究とデバイス応用の両方に対する物質の状態を静電的に制御するための強誘電HfO_2の顕著な可能性を実証した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  トランジスタ ,  酸化物 ,  *強誘電性 ,  酸化ハフニウム ,  *金属-絶縁体転移 ,  機能材料 ,  バンドギャップ ,  *ゲート絶縁膜 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： ゲーティング ,  バックゲート ,  強誘電体材料 ,  強誘電分極 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電ゲーティング ,  強誘電HfO2 ,  金属-絶縁体転移 ,  Mottトランジスタ ,  VO2

分類 (4件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電性 ,  ゲート絶縁体 ,  金属-絶縁体転移 ,  変調