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J-GLOBAL ID：202002274098556435   整理番号：20A2709404

Ramanイメージングおよびチップ増強Raman散乱を用いて研究した4H-SiCのSiおよびC面上に成長させたエピタキシャルグラフェン間の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interactions Between Epitaxial Graphene Grown on the Si- and C-Faces of 4H-SiC Investigated Using Raman Imaging and Tip-Enhanced Raman Scattering

著者 (9件)： Uemura Shohei (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Vantasin Sanpon (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Kitahama Yasutaka (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Tanaka Yoshito Yannick (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Suzuki Toshiaki (UNISOKU Co. Ltd, Hirakata, Japan) ,  Doujima Daichi (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Kaneko Tadaaki (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Ozaki Yukihiro (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan) ,  Ozaki Yukihiro ( Toyota Physical and Chemical Research Institute, Nagakute, Japan)
資料名： Applied Spectroscopy  (Applied Spectroscopy)
巻： 74  号： 11  ページ： 1384-1390  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0429A  ISSN： 0003-7028  CODEN： APSPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiおよびC面上に成長したエピタキシャルグラフェン間の相互作用を,Ramanイメージングおよびチップ増強Raman散乱(TERS)を用いて調べた。回折限界を超える空間分解能を持つTERSスペクトルでは,Dバンドはグラフェン表面からではなく,Si面でSiCと相互作用するバッファ層のないエピタキシャルグラフェンリボンの端から観測された。対照的に,C面上のグラフェンマイクロアイランドでは,C原子がアームチェア配置に配列されたエッジでもDバンドは消失した。C面上のC原子とSiCの組合せによるエッジキラリティーの消失がこの現象の原因である。C面からのTERS信号は,バッファ層のないSi面からのものより弱かった。バッファ層を有するSi面では,グラフェンTERS信号はほとんど観察されなかった。TERS増強は,C-またはSi-面上のSiCとグラフェンの間のエッジまたは緩衝層によってそれぞれ抑制された。Copyright The Author(s) 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Raman散乱 ,  *相互作用 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  スペクトル ,  バッファ層 ,  空間分解能 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： キラリティ ,  回折限界 ,  4H-SiC ,  *Ramanイメージング ,  Dバンド ,  *エピタキシャルグラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： チップ増強Raman散乱 ,  TERS ,  Ramanイメージング ,  グラフェン ,  炭化ケイ素

分類 (1件)： 赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ramanイメージング ,  増強 ,  Raman散乱 ,  研究 ,  4H-SiC ,  Si ,  成長 ,  エピタキシャルグラフェン ,  相互作用