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J-GLOBAL ID：202002274291367578   整理番号：20A2232908

分子ビームエピタクシーにより作製した立方晶GaN/GaAsヘテロ構造における干渉と電気光学効果【JST・京大機械翻訳】

Interference and electro-optical effects in cubic GaN/GaAs heterostructures prepared by molecular beam epitaxy

著者 (10件)： Zendejas-Leal B. E. (Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Gustavo A. Madero, 07360 Ciudad de Mexico, Mexico) ,  Casallas-Moreno Y. L. (CONACYT-Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingenieria y Tecnologias Avanzadas, Instituto Politecnico Nacional, Av. IPN 2580, Gustavo A. Madero, 07340 Ciudad de Mexico, Mexico) ,  Yee-Rendon C. M. (Facultad de Ciencias Fisico-Matematicas, Universidad Autonoma de Sinaloa, Av. de las Americas y Blvd. Universitarios, Culiacan 80000, Sinaloa, Mexico) ,  Gonzalez-Pedreros G. I. (Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas, Facultad de Ciencias y Educacion, Bogota 11021-110231588, DC, Colombia) ,  Santoyo-Salazar J. (Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Gustavo A. Madero, 07360 Ciudad de Mexico, Mexico) ,  Aguilar-Hernandez J. R. (Escuela Superior de Fisica y Matematicas, Instituto Politecnico Nacional, San Pedro Zacatenco, Gustavo A. Madero, 07360 Ciudad de Mexico, Mexico) ,  Vazquez-Lopez C. (Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Gustavo A. Madero, 07360 Ciudad de Mexico, Mexico) ,  Gallardo-Hernandez S. (Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Gustavo A. Madero, 07360 Ciudad de Mexico, Mexico) ,  Huerta-Ruelas J. (Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada, Instituto Politecnico Nacional, Cerro Blanco 141, Queretaro 76090, Mexico) ,  Lopez-Lopez M. (Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Gustavo A. Madero, 07360 Ciudad de Mexico, Mexico)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 12  ページ： 125706-125706-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)基板上の立方晶GaN(c-GaN)試料をRFプラズマ支援分子線エピタキシーにより成長させ,As_4過剰圧を核形成層に用いた。14から300Kの温度範囲で光反射スペクトルを得た。2つの独立した現象が認められた。第一のものはc-GaNバンドギャップ以下の光干渉特性にあり,その起源は熱光学効果である:紫外摂動ビームはc-GaNの屈折率を変化させる。二番目のものは,2つの古典的バンド間遷移が起こる電気光学現象,すなわち,温度依存性が,以前に3%と10%の間に推定された六方晶画分に起因する膜における欠陥を明らかにし,Franz-Keldysh振動を示すGaAs基板に対する2番目の遷移に起因する,c-GaN層に対する最初の遷移を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  屈折率 ,  *電気光学効果 ,  反射スペクトル ,  *ヒ化ガリウム ,  温度依存性 ,  光干渉 ,  *立方晶系 ,  六方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  *MBE成長 ,  摂動
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  *ヘテロ構造 ,  RFプラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子ビームエピタクシー ,  作製 ,  立方晶 ,  GaN ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  干渉 ,  電気光学効果