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J-GLOBAL ID：202002274424891990   整理番号：20A0489309

二重応用のための新しい高伝導性直接ギャップp型半導体La_1-xY_xCuO_:透明エレクトロニクスと熱電気【JST・京大機械翻訳】

A New Highly Conductive Direct Gap p-Type Semiconductor La_1-xY_xCuOS for Dual Applications: Transparent Electronics and Thermoelectricity

著者 (5件)： Zhang Nengduo (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Zhang Nengduo (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Liu Xixia (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Lim David Boon Kiang (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Gong Hao (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 5  ページ： 6090-6096  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能p型透明半導体の不在は,将来の世代オプトエレクトロニクスの開発に対するロードブロックとして依然として残っている。ここでは,Yを組み込んだLaCuOSオキシカルコゲナイドに基づく高導電性p型透明半導体を初めて達成し,単一相を得るための最大Y置換は25%であることが分かった。LaCuOS相の正孔移動度と濃度の両方を強化することにより,Y-置換オキシカルコゲナイド単相La_0.75y_0.25CuOSは,高い光学透明度を有する89.3S ・cm-1の優れたp型伝導率を示し,これはこれまで報告された3eV以上のバンドギャップを有する全ての透明オキシカルコゲニドの中で最高である。異なるY置換レベルを有するLa_1-xY_xCuOSの構造的,電子的および光学的性質ならびに熱電特性を研究し,Y置換後の力率は4.322μW m-1K-2に大きく増強された。300の高い整流比をもつp型La_0.75y_0.25CuOS薄膜とn型AlドープZnOヘテロ接合に基づく高性能ダイオードを実証し,次世代の不可視エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスの有望な側面を示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイオード ,  *熱電流 ,  バンドギャップ ,  薄膜 ,  単相 ,  オプトエレクトロニクス ,  *電子技術 ,  力率 ,  *半導体 ,  光学的性質 ,  透明度 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： 整流比 ,  熱電特性 ,  正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： p型 ,  透明性 ,  オキシカルコゲナイド ,  TCO ,  熱電

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  ギャップ ,  P型半導体 ,  エレクトロニクス ,  熱電気