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J-GLOBAL ID：202002274440335300   整理番号：20A0609386

パルスレーザ蒸着により作製したSi及びTa共ドープGa_2O_3膜に及ぼす異なる基板の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of different substrates on Si and Ta co-doped Ga₂O₃ films prepared by pulsed laser deposition

著者 (5件)： Zheng Tao (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  He Wei (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Wang Liyun (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Li Jingbo (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Zheng Shuwen (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 533  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パルスレーザ蒸着により(100)Ga_2O_3,(0001)サファイアおよび石英基板上に堆積したSiおよびTa共ドープ酸化ガリウム(Ga_2O_3)膜の構造,形態,電気的および光学的性質を解析した。Ga_2O_3基板上のSiおよびTa共ドープGa_2O_3膜は,サファイアおよび石英基板と比較して,1.12×1020cm-3の高いキャリア濃度および2.13S cm-1の伝導率を有する最良の結晶品質を有した。異なる基板上のSiとTaを共ドープしたGa_2O_3膜は,300nm以上の高い透過率(>73%)と滑らかな膜表面を示した。Ga_2O_3,サファイア及び石英基板上のSi及びTa共ドープGa_2O_3膜の光学ギャップは4.89eVから4.85eVに減少し,対応するUrbachエネルギーは0.396から0.704eVに増加し,ホモエピタキシャルSi及びTa共ドープGa_2O_3膜は最良の品質を有した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *パルスレーザ蒸着 ,  *タンタル ,  光学的性質 ,  光学ギャップ ,  サファイア ,  酸化ガリウム ,  *ケイ素 ,  品質 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  透過率
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  伝導率 ,  石英基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1 基板 ,  B2 Ga2O3膜 ,  A1 SiとTaの共ドーピング ,  A3 PLD

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  Si ,  Ta ,  ドープ