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J-GLOBAL ID:202002274505005034   整理番号:20A2767696

アナログRRAMデバイスにおける保持故障挙動の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Retention Failure Behavior in Analog RRAM Devices
著者 (9件):
資料名:
巻: 2020  号: IPFA  ページ: 1-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,アナログRRAMデバイスにおける保持故障挙動を調べた。保持時間はTiW/Al_2O_3/Ta_2O_5/Taデバイスの方がTiW/HfO_2/Ta_2O_5/Taデバイスよりも長いことが分かった。酸素イオン/空孔に対するより高い拡散障壁は,TiW/Al_2O_3/Ta_2O_5/Taデバイスでより長い保持時間を引き起こす。多重メモリ状態が観察され,室温で少なくとも104s安定であり,この故障時間は10%以内の抵抗変動の時間として定義した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  音声処理  ,  符号理論  ,  専用演算制御装置 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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