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J-GLOBAL ID：202002274529425778   整理番号：20A2257665

h-BN基板上のグラフェン/SドープInSeヘテロ構造に基づく新規オプトエレクトロニクス性能を有する可視近赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

Visible to near-infrared photodetector with novel optoelectronic performance based on graphene/S-doped InSe heterostructure on h-BN substrate

著者 (8件)： Hao Qiaoyan (International Collaborative Laboratory of 2D Materials for Optoelectronics Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China. [e-mail]) ,  Liu Jidong ,  Dong Weilong ,  Yi Huan ,  Ke Yuxuan ,  Tang Sisi ,  Qi Dianyu ,  Zhang Wenjing
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 37  ページ： 19259-19266  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料のvan der Waalsヘテロ構造は,新しい機能性デバイスの設計における柔軟性のために,かなりの注目を集めている。グラフェン/2D半導体ヘテロ構造に関する多くの研究にもかかわらず,それらのオプトエレクトロニクス応用は,大きなバンドギャップや化学的不安定性などのいくつかの欠点のために,著しく妨げられている。本研究では,優れた光応答性能を有するグラフェン/SドープInSeヘテロ構造光検出器の作製を示し,これは,InSeの元素ドーピングによる中程度のバンドギャップとバンドギャップエンジニアリング,ならびにグラフェンの高いキャリア移動度に起因する。特に,グラフェン/InSe_0.9S_0.1デバイスは,700nmで~4.9×106AW-1の超光応答性と8.7×108%のEQEを達成し,広帯域光検出(可視から近赤外まで)を示した。より重要なことに,誘電体層としてのh-BNの影響から生じるn型グラフェンと,高い仕事関数を有するSドープInSeとの間の相互作用により,このデバイスはゲート電圧の極性が調整され,以前に報告されたグラフェン/2D半導体光検出器とは異なって,常に正の光電流を示した。本研究は,高効率の広帯域光検出器のための有望なプラットフォームを提供するだけでなく,バンドギャップエンジニアリングによる光電子性能の調整と,新しいヘテロ構造ベースの種々の2D材料の設計にも光を投げかける。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  誘電体 ,  *ドーピング ,  *近赤外線 ,  *オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  *光検出 ,  広帯域 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *InSe ,  *ヘテロ構造 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  塩  (CD01050V) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (8件)： h-BN ,  グラフェン ,  ドープ ,  InSe ,  ヘテロ構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  近赤外光 ,  検出器