文献

J-GLOBAL ID：202002274556707752   整理番号：20A1751359

InFOUHD(超高密度)技術の応用と信頼性研究【JST・京大機械翻訳】

Applications and Reliability Study of InFO_UHD (Ultra-High-Density) Technology

著者 (7件)： Ko T. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.) ,  Pu H. P. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.) ,  Chiang Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.) ,  Kuo H. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.) ,  Wang C. T. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.) ,  Liu C. S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.) ,  Yu Douglas C. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,Hsinchu,R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECTC  ページ： 1120-1125  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チップ間相互接続ピッチ小型化は,先進パッケージング技術におけるダイダイ通信帯域幅(BW)性能を強化するための不可欠な部分になった。報告された異なるチップ間相互接続アプローチの中で,RDLによるファンアウト技術は最も単純な統合アプローチである。RDLスケーリング能力は厳しい課題である。FO_UHD技術[1]をサブミクロンピッチチップ間RDLを提供するために提案した。高性能計算へのFO_UHDアプリケーションを,本論文の第一部において論じた。ネットワーク化における2チップ統合のためのInFO_UHDを用いた事例研究を,InFO_UHD L/S(RDL線幅/ライン間隔)0.8/0.8μm対L/S 2/2μmケースの下で,ΔΣ4X全帯域幅に到達することができるので,調査した。さらに,チップレット統合に対する細線応用の利点も対処した。本論文の第2部では,ネットワーク化アプリケーションのための電気的および信頼性評価結果を示し,そこでは,InFO_UHD試験車両を相互接続レベルでチップ間RDL線幅0.8μmで設計した。この試験車両は,有機基質を有する2次元構造の実際の製品を模倣した。パッケージレベル電気特性は,ほぼ100%の収率を示し,そして,多重流(MR),熱サイクル試験(TC),高加速応力試験(HAST;バイアスおよび非バイアス),高温貯蔵試験(HTS)のようなパッケージレベル信頼性試験結果を開示した。エレクトロマイグレーション(EM)と応力マイグレーション(SM)の相互接続信頼性も同様に提示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *信頼性 ,  包装技法 ,  信頼性試験 ,  相互接続 ,  小型化 ,  多重化 ,  電気特性 ,  応用プログラム ,  帯域幅 ,  事例研究 ,  バイアス ,  エレクトロマイグレーション ,  信頼性評価 ,  線幅 ,  改変

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高密度 ,  応用 ,  研究