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J-GLOBAL ID：202002275145628874   整理番号：20A1073973

絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールのための熱結合を含む三次元熱モデル【JST・京大機械翻訳】

A 3-D Thermal Model including thermal coupling for Insulated Gate Bipolar Transistor Module

著者 (4件)： Li Wenhao (Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China) ,  Xue Jianrui (Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China) ,  Li Ming (Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China) ,  Gao Liming (Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEPT  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーデバイスの熱管理の研究のために,典型的なアプローチはモジュール[1]-[5]内部の熱状態を記述するためにRCモデルを使用することである。しかし,現在の一般的な実行に関するいくつかの限界がある。最初に,そのようなRCモデルは通常一次元である。すなわち,RCノードは上部から底部に分布する。しかし,ノード平面の状態に関する徹底的研究はない。第二に,モデルにおけるチップ間の熱結合は考慮されず,実際の状況とは異なる。[6]本論文では,有限要素シミュレーション法によって提供されたデータに基づいて,IGBTモジュールのために三次元RCモデルを構築し,モジュールはIGBTチップ,パッケージおよびヒートシンクから構成される。一方,隣接チップ間の熱結合も研究した。それは,もう一つのチップの熱的寄与を数値的に反映することができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱管理 ,  一次元 ,  ヒートシンク ,  *三次元 ,  *IGBT
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *熱モデル ,  有限要素シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  モジュール ,  熱モデル