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J-GLOBAL ID：202002275346149378   整理番号：20A2763548

GaN-HEMTの電気特性に及ぼす電界板誘電体の膜応力の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs

著者 (5件)： Ando Yuji (Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Takahashi Hidemasa (Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Ma Qiang (Graduate School of Engineering, Tsukuri College, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Wakejima Akio (Graduate School of Engineering, Tsukuri College, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 12  ページ： 5421-5426  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電気的特性に及ぼす,フィールドプレート誘電体膜の機械的応力効果に焦点を当てた系統的研究を報告する。AlGaN/GaN HEMTsをSiC基板上に作製し,そこではSiN電界板誘電体膜の応力が-252(圧縮)から+26.5(引張)MPaの範囲であった。Siリッチおよび圧縮SiN膜は分離漏れの顕著な増加を示した。一方,比較的Nリッチおよび引張SiN膜はHEMTのゲート漏れ電流の顕著な増加を示した。さらに,パルスI-V測定は引張応力の増加により電流崩壊の抑制を示した。その結果,膜応力が最適化されたので,小さな電流崩壊と小さなゲート漏れ電流が良好な分離と同時に得られた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *電場 ,  電流 ,  *誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  電気的性質 ,  *膜応力 ,  引張 ,  *電気特性 ,  パルス ,  引張応力 ,  *HEMT ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  改変
準シソーラス用語： フィールドプレート ,  ゲート漏れ電流 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  電気特性 ,  電界 ,  誘電体 ,  膜応力