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J-GLOBAL ID：202002275681379932   整理番号：20A2392375

AlGaN/GaNヘテロ構造上の炭化タングステンSchottky接触の電気的および構造的性質に及ぼす熱アニーリング効果【JST・京大機械翻訳】

Thermal annealing effect on electrical and structural properties of Tungsten Carbide Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures

著者 (7件)： Greco G (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, Catania 95121, Italy) ,  Di Franco S (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, Catania 95121, Italy) ,  Bongiorno C (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, Catania 95121, Italy) ,  Grzanka E (Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, Warsaw 01-152, Poland) ,  Leszczynski M (Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, Warsaw 01-152, Poland) ,  Giannazzo F (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, Catania 95121, Italy) ,  Roccaforte F (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, Catania 95121, Italy)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 10  ページ： 105004 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化タングステン(WC)接触をAlGaN/GaNヘテロ構造のための元の金フリーSchottkyメタライゼーションとして研究した。WC/AlGaN接触の電気的および構造的/組成的性質の進展を,400~800°Cの範囲の焼なまし温度の関数として監視した。ダイオードの順方向電流-電圧特性から抽出したWC/AlGaN界面でのSchottky障壁高さ(Φ_B)は,堆積したままのままと400°Cでアニールした試料の0.82~0.85eVから800°Cでのアニーリング後の0.56eVに減少した。このΦ_Bの大きな減少は逆漏れ電流の対応する増加を伴った。電子エネルギー損失分光法分析と組み合わせた透過型電子顕微鏡は,蒸着ままおよび400°Cアニール試料の両方で,WC層に均一に分布した酸素(O)の存在を明らかにした。逆に,AlGaNとの界面における2-3nmの薄いW-O-C層中の酸素蓄積は,800°Cでのアニーリング後,また膜内のW_2C粒の形成(X線回折分析によって確認)で観察された。この界面W-O-C層の形成は,800°CアニールしたSchottkyダイオードにおけるΦ_Bの減少および漏れ電流の増加の主な原因であり,一方,WC膜内のO含有量の減少は,金属層の抵抗率の減少を説明できる。結果は,AlGaN/GaNヘテロ構造のSchottky接触としてのWCの適用のための加工条件の評価を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *焼なまし ,  ダイオード ,  電気抵抗率 ,  電子顕微鏡観察 ,  酸素 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  メタライゼーション ,  *炭化タングステン ,  蒸着 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  炭化タングステン ,  Schottky接触 ,  構造的性質 ,  アニーリング効果