文献

J-GLOBAL ID：202002276228037676   整理番号：20A1235483

Al中間層媒介によるSi(001)上の均一で均質な三元NiSi_2-xAl_xの形成

Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi_2-xAl_x on Si(001) by an Al interlayer mediation

著者 (12件)： Yong Kai (School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China) ,  Yong Kai (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Ping Yunxia (School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China) ,  Liu Wei (School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China) ,  Liu Wei (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Yang Jun (School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China) ,  Yang Jun (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Yu Wenjie (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Xue Zhongying (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Wei Xing (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Wu Aimin (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 1  ページ： 015505 (4pp)  発行年： 2020年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al中間層媒介エピタクシーにより,均一で滑らかなNiSi_2-xAl_x/Si界面を有する三元NiSi_2-xAl_x層を達成した。3nmのAl中間層をSi(001)基板上のニッケルシリサイド化に導入した。ニッケルシリサイド化物層の形態,組成および微細構造を異なるアニーリング温度で解析した。Al原子の支援下で,最良の品質のニッケルシリサイド化物層が700°Cでのアニーリングにより達成されることが分かった。Ni拡散と修正エネルギーの減少はNiとSiの間の均一反応の助けとなり,Si(001)基板上にエピタキシャル三元NiSi_2-xAl_x層をもたらす。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *層 ,  ケイ素 ,  *三元合金 ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *ドーピング ,  界面 ,  組成 ,  形態 ,  微細構造 ,  温度 ,  均一系反応 ,  Rutherford散乱分光法 ,  シート抵抗 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： *中間層 ,  *ニッケルシリサイド ,  金属-半導体界面 ,  アニーリング温度 ,  エピタキシャル層 ,  RBS分光法 ,  STEM【顕微鏡】 ,  XTEM【顕微鏡】 ,  EDS【分光分析】

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： Al ,  中間層 ,  Si