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J-GLOBAL ID：202002276331638241   整理番号：20A1010929

カプセル封じ応用のための低温での熱プラズマ原子層蒸着プロセスにより作製したAl_2O_3薄膜【JST・京大機械翻訳】

Al₂O₃ Thin Films Prepared by a Combined Thermal-Plasma Atomic Layer Deposition Process at Low Temperature for Encapsulation Applications

著者 (7件)： Zhu Zhen (Beneq Oy, Olarinluoma 9, Espoo, 02200, Finland) ,  Zhu Zhen (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, 02150, Finland) ,  Merdes Saoussen (Beneq Oy, Olarinluoma 9, Espoo, 02200, Finland) ,  Ylivaara Oili M. E. (VTT Technical Research Centre of Finland Ltd., P.O. Box 1000, Espoo, 02044, Finland) ,  Mizohata Kenichiro (Physics Department, University of Helsinki, Gustaf Haellstromin katu 2, Helsinki, 00560, Finland) ,  Heikkilae Mikko J. (Department of Chemistry, University of Helsinki, A.I. Virtasen aukio 1, Helsinki, 00560, Finland) ,  Savin Hele (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, 02150, Finland)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 8  ページ： e1900237  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,カプセル化応用のための90°Cでのその場N_2プラズマ処理プロセスによるAl_2O_3の複合H2O熱原子層堆積を報告した。Al_2O_3薄膜の成長挙動と特性,例えば元素組成,残留応力,水分透過障壁能力,密度,および粗さに及ぼすプロセスパラメータの影響を研究した。プラズマ曝露時間の最適化は,低不純物(水素に対して≒3.8at%,炭素に対して≒0.17at%,窒素に対して≒0.51at%),高質量密度(≒3.1gcm-3),低引張残留応力(≒160MPa)を与えた。4nm厚のAl_2O_3膜で被覆されたポリエチレンナフタレート基板に対して,2.9×10~-3g/m-2日-1の水蒸気透過速度が得られた。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  残留応力 ,  *プラズマ ,  *低温 ,  *薄膜 ,  不純物 ,  炭素 ,  窒素 ,  水分 ,  *薄膜成長 ,  プロセスパラメータ ,  プラズマ曝露 ,  *熱プラズマ ,  ポリエチレンナフタレート
準シソーラス用語： 元素組成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アルミナ ,  原子層堆積 ,  プラズマ ,  ラジカル ,  水蒸気透過率

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： カプセル封じ ,  応用 ,  低温 ,  熱プラズマ ,  原子層蒸着 ,  プロセス ,  作製 ,  薄膜