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J-GLOBAL ID：202002276350021915   整理番号：20A1953430

垂直VO_2ナノワイヤアレイの低温ウエハスケール作製【JST・京大機械翻訳】

Low-temperature wafer-scale fabrication of vertical VO₂ nanowire arrays

著者 (11件)： Shi Run (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Kong Dejun (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Shen Nan (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Gan Yichen (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Zhao Yaxuan (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Wang Zixu (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Wang Weijun (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Wang Jingwei (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China) ,  Amini Abbas (Center for Infrastructure Engineering, Western Sydney University, Kingswood, NSW 2751, Australia) ,  Wang Ning (Department of Physics and Center for Quantum Materials, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong, People’s Republic of China) ,  Cheng Chun (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 8  ページ： 083108-083108-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶二酸化バナジウムナノワイヤ(VO_2 NWs)は,単一ドメイン金属-絶縁体相転移(MIT)特性から生じるそれらのユニークな特性により大きな興味を引いている。しかし,大面積における垂直ナノワイヤアレイ(NAs)を製造する容易な技術の欠如は,VO_2ベースデバイスの大量生産を制限してきた。ここでは,ガラス,石英およびシリコンの任意の基板上のウエハスケールの垂直VO_2 NAの低温製造のためのアンチモン支援水熱法を開発した。Sb_2O_3は,VO_2 NAのサイズ,密度,整列,およびMIT特性を調節することによって,純粋なVO_2(M1)の制御された成長において重要な役割を果たす。さらに,垂直VO_2NAの成長機構を説明した。従来の作製技術とは対照的に,NA膜と基板の間の弱い相互作用は,種々の電位用途のためのVO_2 NAの非常に容易な移動を可能にする。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アラインメント ,  ガラス ,  水熱合成 ,  相転移 ,  単結晶 ,  *低温 ,  電位 ,  弱い相互作用 ,  石英 ,  大量生産 ,  アンチモン ,  ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  絶縁体
準シソーラス用語： 二酸化バナジウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  ナノワイヤアレイ ,  低温 ,  ウエハ ,  スケール ,  作製