極低温およびドレイン電圧分極におけるフリッカ雑音起源を識別する改良型物理ベース解析【JST・京大機械翻訳】

Cretu B.; Boudier D.; Simoen E.; Simoen E.; Veloso A.; Collaert N.; Claeys C.

文献

J-GLOBAL ID：202002276474402592 整理番号：20A2127753

極低温およびドレイン電圧分極におけるフリッカ雑音起源を識別する改良型物理ベース解析【JST・京大機械翻訳】

Improved physics-based analysis to discriminate the flicker noise origin at very low temperature and drain voltage polarization

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資料名：
巻： 171 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

低周波数雑音研究を,pチャネルゲートオールアラウンド(GAA)ナノワイヤ(NW)FETにおいて10Kの深い極低温で行った。予想されたように,キャリア数変動機構は,従来の固定適用ドレインバイアスに対するフリッカ雑音源を説明した。非常に低い印加ドレインバイアスステップ様効果はドレイン電流伝達特性に影響する。印加ゲートバイアスの関数として固定した非常に低いドレイン電圧で行った雑音測定は,ゲート電圧フリッカ雑音挙動がIDS3/2/gm2則に従うことを示した。Coulomb散乱相互作用からの移動度変動機構の枠組みにおいて,この依存性が古典的輸送理論を考慮してモデル化されることが既に証明された。印加ドレインバイアスの関数として固定ゲート電圧で行った雑音測定は,ゲート電圧1/f雑音レベルがIDS3/2/gm2法則からの偏差を示すことを示した。この挙動を説明するために,改良モデルを,主にいくつかの追加仮説を考慮して提案した:適用したドレインバイアスに対する反転電荷依存性とドレイン電流のドリフト成分の影響を,非常に低い印加ドレイン電圧に対する低固定ゲート電圧バイアスで測定するとき,ドレイン電流のドリフト成分の影響を無視できた。結果は,本研究で考察したより低いドレインバイアスに対して,Coulomb散乱相互作用から生じる移動度変動機構による極低温に対する古典的輸送考察から導かれた物理ベースモデルを用いて,フリッカ雑音挙動を説明できることを示した。これは驚くべきことがあり,ステップ状効果がDC測定に影響するとしても,1/f雑音に影響しない分極間隔が存在することを示唆した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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トランジスタ

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