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J-GLOBAL ID：202002276727527013   整理番号：20A0579848

圧力および不純物効果下の歪んだInN/GaNヘテロ界面における二次元電子ガスモデリング【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional electron gas modeling in strained InN/GaN hetero-interface under pressure and impurity effects

著者 (7件)： El Ghazi H. (ENSAM Laboratory, ENSAM, Hassan II University, Casablanca, Morocco) ,  El Ghazi H. (Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco) ,  En-nadir R. (Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco) ,  Abboudi H. (Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco) ,  Jabouti F. (Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco) ,  Jorio A. (Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco) ,  Zorkani I. (Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 582  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Ga面配列を持つWZ歪InN/GaNヘテロ界面における二次元電子ガス(2DEG)密度モデリングを考察した。システムとその周囲のマトリックス間の誘電不整合による構築された電場の存在におけるそれらの影響を解析することにより,外部印加静水圧と不純物の位置の役割を理論的に調べた。結合Schroedinger-Poisson方程式と分極誘起電荷を解くために,有限要素法コードを用いた。誘電率,バンドギャップエネルギー,格子及び内部電場の圧力依存性を考察した。2DEGは非単調挙動を示す強い依存性の内部及び外部摂動であると思われる。結果は以下のことを証明した。(1)InNチャネルはオフ中心不純物に比べて中心不純物に対してより占有され,(2)三角形形状量子井戸における電子密度は圧力とともに増加する;(3)2DEG密度は正の不純物の位置に対して増大し,圧力に対して低下した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子密度 ,  誘電率 ,  有限要素法 ,  量子井戸 ,  電場 ,  不整合 ,  静水圧 ,  *窒化ガリウム ,  *二次元電子ガス ,  *ガリウム ,  電荷 ,  *不純物 ,  圧力効果 ,  摂動 ,  分極

著者キーワード (5件)： 2DEG ,  静水圧 ,  不純物 ,  Electron密度 ,  ヘテロ界面

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物効果 ,  InN ,  GaN ,  ヘテロ界面 ,  二次元電子ガス ,  モデリング