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J-GLOBAL ID：202002276950053086   整理番号：20A1260610

サファイア基板上にエピタキシャル成長させた多層WS_2/MOS_2ヘテロ構造における内部場【JST・京大機械翻訳】

Internal Fields in Multilayer WS₂/MoS₂ Heterostructures Epitaxially Grown on Sapphire Substrates

著者 (10件)： Kim Bora (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea) ,  Kim Jayeong (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea) ,  Tsai Po-Cheng (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Tsai Po-Cheng (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan) ,  Kwon Soyeong (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea) ,  Kim Eunah (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea) ,  Yoon Seokhyun (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea) ,  Lin Shih-Yen (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Lin Shih-Yen (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan) ,  Kim Dong-Wook (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 10  ページ： e2000033  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の3Dヘテロ構造において,構成層における漸進的な電位勾配とヘテロ界面における突然の潜在的不連続性が現れる可能性がある。2Dヘテロ構造における静電ポテンシャルの研究は,2D材料がそれらの3D対応物と比較して異なる物理的特性を有するので,注意深い特性化と解析を必要とする。ここでは,3種類の試料を,単結晶サファイア基板上の金属層の硫化を用いて調製した:WS_2,MoS_2,およびWS_2/MoS_2。試料の表面電位(V_S)をKelvinプローブ力顕微鏡を用いて測定した。独立三層(3L-)WS_2(-63mV)における光誘起V_S変化は,3L-WS_2/3L-MoS_2ヘテロ構造(-12mV)におけるそれより非常に顕著である。対照的に,独立3L-MoS_2の光誘起V_S変化は正で非常に大きい(≒200mV)。これらの結果を説明するために,独立(WS_2及びMoS_2)及びヘテロ構造(WS_2/MoS_2)試料の両方に対してポテンシャル及び内部場分布を提案した。内部場の極性と大きさは,隣接する2D層と基礎となる基板からの電子相互作用と遮蔽に依存する。試料のRamanスペクトルの相対的ピークシフトを得て,内部場効果を考慮して議論した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  相互作用 ,  単結晶 ,  電位 ,  表面電位 ,  *二次元 ,  三次元 ,  不連続性
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  光誘起 ,  静電ポテンシャル ,  *ヘテロ構造 ,  *サファイア基板 ,  ピークシフト ,  ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘテロ構造 ,  内部場 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  MoS2 ,  WS2

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  エピタキシャル成長 ,  多層 ,  ヘテロ構造