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J-GLOBAL ID:202002276981528729   整理番号:20A0763407

強誘電体PbZr_0 ・_2Ti_0 ・_8O_3/Nd_0.3Sm_0.25Sr_0 ・45MnO_3液体ゲート電気二重層トランジスタに対する抵抗の高不揮発性変調【JST・京大機械翻訳】

High nonvolatile modulation of resistance on a ferroelectric PbZr0・2Ti0・8O3 /Nd0.3Sm0.25Sr0・45MnO3 liquid-gated electric-double-layer transistors
著者 (8件):
資料名:
巻: 309  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0499A  ISSN: 0038-1098  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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イオン液体によってゲートされたPbZr_0 2Ti_0 8O_3(PZT)/Nd_0.3Sm_0.25Sr_0 45MnO_3(NSSMO)構造に基づく強誘電体分極電界電気二重層トランジスタを確立した。NSSMOチャネル上の静電変調を電場を印加することにより行い,PZTの分極場に対するそれぞれの不揮発性電界効果を調べた。興味深いことに,NSSMOチャネルの抵抗に対する不揮発性変調がPZT層からの強誘電分極場に依存して観測された。さらに,+3Vのバイアス電圧を印加したとき,NSSMOチャネルの電気伝導率の大きな変調が達成された。この結果は,強誘電分極場下の複雑な酸化物デバイスにおいて,高い不揮発性静電効果が達成できることを示している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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トランジスタ  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
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