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J-GLOBAL ID：202002277090747786   整理番号：20A2549398

ZnGeAs_2のオプトエレクトロニック研究:第一原理TB-mBJ近似【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic investigations of ZnGeAs₂: A first principle TB-mBJ approximation

著者 (5件)： Gaur Aditi (Department of Electrical Engineering, Manipal University Jaipur, Jaipur-303007, Rajasthan, India) ,  Khan Karina (Department of Physics, Manipal University Jaipur, Jaipur-303007, India) ,  Ahuja Ushma (Department of Electrical Engineering, NMIMS, Mukesh Patel School of Technology Management and Engineering, Mumbai-400056, Maharashtra, India) ,  Sahariya Jagrati (Department of Physics, National Institute of Technology, Uttarakhand, Srinagar (Garhwal)-246174, India) ,  Soni Amit (Department of Electrical Engineering, Manipal University Jaipur, Jaipur-303007, Rajasthan, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 030368-030368-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnGeAs_2の第一原理研究を,最も正確なTran-Blaha修正Becke Johnson(TB-mBJ)交換ポテンシャルを用いて行った。利用可能な交換ポテンシャルは,密度汎関数計算に基づくフルポテンシャル線形増強波(FP-LAPW)法である。この計算で報告されたバンドギャップは1.18eVの大きさの直接的な性質を示す。光学的挙動を推定するために,誘電テンソルの虚数成分,反射率,屈折度および積分吸収係数のような特性をWIEN2kパッケージを用いて計算した。光学スペクトル成分,すなわち,平行および垂直は,互いにほぼ一致することが観察された。これは,材料の等方性の性質を明確に示す。材料に対して記録されたこのバンドギャップスケールと光学応答は,オプトエレクトロニクスおよび他の光起電力応用におけるこれらの化合物の活性利用を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  光起電力 ,  テンソル ,  反射率 ,  *近似法 ,  線形性 ,  オプトエレクトロニクス ,  等方性 ,  虚数 ,  バンドギャップ ,  第一原理
準シソーラス用語： 光応答 ,  WIEN2k ,  光学スペクトル ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 研究 ,  第一原理 ,  Tb ,  近似