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J-GLOBAL ID:202002277091003309   整理番号:20A0577689

可視光光触媒活性増強のための酸素欠陥に富むInドープZnOナノ構造【JST・京大機械翻訳】

Oxygen defect-rich In-doped ZnO nanostructure for enhanced visible light photocatalytic activity
著者 (8件):
資料名:
巻: 244  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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可視光下での環境汚染物質の分解のための高効率光触媒の開発は理想的である。本研究では,豊富な酸素空孔欠陥(In-OV-ZnO)を有するインジウムドープ酸化亜鉛を,容易な溶液法とそれに続くアニーリングプロセスを用いて作製することに成功した。合成した試料の形態的,構造的,光学的性質を調べた。X線回折測定は,In3+イオンと酸素空格子点を持つ合成試料の主ピークの位置がわずかにシフトしていることを明らかにした。SEMとTEMの分析は,In-OV-ZnO試料が六方晶結晶形態を有するナノスケール領域(20~50nm)にあることを示した。UV-vis DRSスペクトルは,In-OV-ZnO試料が3.14eVのバンドギャップ値を有することを示した。光電流解析と光ルミネセンス研究に基づいて,In-OV-ZnOの酸素空孔は電子-正孔対の分離に有利であった。光触媒研究は,In-OV-ZnO試料が可視光照射下でメチレンブルー(MB)とメチルオレンジ(MO)のより良い光触媒活性を示し,それぞれ96.84%と90.05%の最大分解を示した。増強された光触媒性能は酸素空孔欠陥とIn3+イオンの相乗効果に起因し,効率的な電子-正孔分離に有利に働き,いくつかの活性サイトを提供した。本研究は,新しい光触媒の効率的で費用対効果の高い設計を可能にする研究を開発し,光触媒活性の増強における表面欠陥の影響に関する洞察を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩基,金属酸化物  ,  光化学一般 

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