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J-GLOBAL ID:202002277115929022   整理番号:20A1236053

超臨界流体化学蒸着によるNi薄膜合成の動力学

Kinetics of Ni thin film synthesis by supercritical fluid chemical deposition
著者 (2件):
資料名:
巻: 59  号: SL  ページ: SLLE02 (7pp)  発行年: 2020年07月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Niを前駆体Ni(hfac)2・3H2Oの水素還元により超臨界流体化学蒸着(SFCD)によりTiN薄膜上に蒸着した。この点について,SFCDフロー型反応系を用いて,Ni薄膜の成膜速度と反応機構を調べた。その結果,Niの成長速度は前駆体濃度の上昇とともに増加し,その後飽和することがわかった。アレニウスプロットに基づいて,見掛けの活性化エネルギーはH2濃度の増加とともに減少し,0.90から0.61eVの範囲の値が得られた。Langmuir-Hinshelwoodモデルを用いた反応速度論と反応スキームでは,表面反応が速度決定ステップとなり,前駆体濃度に対してゼロオーダーの反応が発生した。一方,Ni薄膜の反応スキームにおける前駆体と水素の吸着の平衡定数は,温度の上昇とともに減少することがわかり,これは,反応が発熱性であることを示している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
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