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J-GLOBAL ID：202002277708843626   整理番号：20A1235555

マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡によるW(112)のステップエッジでの電界イオン化における電子トンネリングの局所障壁場変化に関する研究

Study on the local barrier field variations for electron tunneling in field ionization at a step edge of W(112) with a micro-probe hole field ion microscope

著者 (3件)： Ohta Yasushi (Department of Applied Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Kobayashi Ataru (Department of Applied Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Nakayama Masaaki (Department of Applied Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka, 558-8585, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 1  ページ： 015004 (5pp)  発行年： 2020年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： W(112)表面の局所場イオン密度をパルス計数分析と組み合わせたマイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いて観測した。マッピングされた電界イオン密度は,ステップ端における表面W原子サイトの単一の明るいスポット内の異方性発光特性を明らかにした。B. Halpern and R. Gomerによって提供されるトンネル障壁強度に関する最も関連した式に基づいて,ステップ端領域における局所的な「交差原子」障壁場の変化を導いた。最大障壁場強度の位置は基板表面原子サイトの上部よりもむしろステップ側に向かって顕著にシフトすることを見出した。結果は,最も高度に促進された電界イオン化事象が起こる軌跡が,ヘリウム画像化ガス原子の場吸着によって生成された極度に局在化された障壁場のために,以前に推定されたものよりはるかに小さいことを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マイクロプローブ ,  *電界イオン顕微鏡 ,  タングステン ,  表面ステップ ,  電界イオン化 ,  *トンネル効果 ,  *ポテンシャル障壁 ,  イオン密度 ,  表面 ,  特性 ,  吸着 ,  ヘリウム
準シソーラス用語： *電子トンネリング ,  *トンネル障壁 ,  金属表面 ,  発光特性 ,  原子吸着

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界イオン顕微鏡 ,  エッジ ,  電界イオン化 ,  電子トンネリング ,  障壁 ,  研究