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J-GLOBAL ID：202002277955241621   整理番号：20A0581065

p-n接合とSchottky障壁ダイオードに基づくGaNベータボルト電池の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative study of GaN betavoltaic battery based on p-n junction and Schottky barrier diode

著者 (8件)： Zheng Renzhou (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Lu Jingbin (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Liu Yumin (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Li Xiaoyi (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Xu Xu (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  He Rui (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Tao Zexin (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Gao Yuhang (College of Physics, Jilin University, Changchun, 130012, China)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 168  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,N63i放射源を有するGaNベータ電池の理論的計算モデルを提示した。GaN p-n接合電池とGaN Schottky障壁電池の出力パラメータをモンテカルロシミュレーションに基づいて計算した。計算結果は,N63i源の厚さが2μmであるとき,GaN-N63i電池がほぼ最適化性能を達成することを示した。GaN系p-n接合電池に対して,最大出力密度,充填因子,エネルギー変換効率および全エネルギー変換効率は,それぞれ0.359μW/cm2,94.6%,23.2%および6.96%であった。GaN系Schottky障壁電池では,出力性能はSchottky金属の選択に関連している。GaN Schottky障壁ダイオードに対するAg,Ti,Au,Pd,NiおよびPtの金属の中で,Au-GaN Schottky障壁素子が典型的に作製されている。Au-GaN Schottky障壁電池の対応する出力パラメータは,それぞれ0.223μW/cm2,92.2%,14.4%および4.33%であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *PN接合 ,  白金 ,  最適化 ,  *ダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電池 ,  エネルギー変換効率 ,  *Schottky障壁 ,  *窒化ガリウム ,  接合 ,  計算モデル
準シソーラス用語： 充填率 ,  出力密度 ,  モンテカルロシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN-N63Iベータボルト電池 ,  p-n接合 ,  Schottky障壁ダイオード ,  エネルギー変換効率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (6件)： p-n接合 ,  Schottky障壁ダイオード ,  GaN ,  ボルト ,  電池 ,  研究