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J-GLOBAL ID：202002277991973120   整理番号：20A0076326

絶縁破壊電圧とオン抵抗を制御するための横方向二重拡散MOSFETの新しい構造【JST・京大機械翻訳】

A New Structure for Lateral Double Diffused MOSFET to Control the Breakdown Voltage and the On-Resistance

著者 (1件)： Zareiee Meysam (School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 11  号： 6  ページ： 3011-3019  発行年： 2019年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向二重拡散金属酸化物電界効果トランジスタ(LDMOS)は,高い絶縁破壊電圧のための電力応用に広く使われている。しかし,素子は高いオン抵抗を持つ可能性がある。したがって,高い絶縁破壊電圧と小さなオン抵抗を達成するための挑戦が重要である。本論文では,従来のLDMOS性能を強化するための新しい構造を提案した。この場合,U形Pシリコン層はドリフト領域の底とゲートの下で考慮される。P層はチャネルとソース/ドレインとは異なるドリフト領域よりも高いドーピング密度を有していた。この差は,主ピークを減少させる電場プロファイルにおけるいくつかの新しいピークを生成する。したがって,破壊電圧は著しく増加する。ドーピング密度が増加するとオン抵抗は減少した。ドリフト領域より高いP層のドーピング密度はオン抵抗を減少させた。本論文は,二次元ATLASシミュレータを用いてシミュレーションし,従来のものと比較した。シミュレーション結果は,提案した構造性能が,電圧,絶縁破壊電圧,オン抵抗およびスイッチング特性の場合に許容できることを示した。Copyright 2019 Springer Nature B.V. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属酸化物 ,  ドリフト ,  電場 ,  FET【トランジスタ】 ,  *電圧 ,  絶縁体 ,  *オン抵抗 ,  シミュレータ ,  二次元 ,  シミュレーション ,  ケイ素 ,  チャネル ,  ドーピング ,  電力応用 ,  半導体素子

著者キーワード (5件)： 半導体装置 ,  絶縁体上のシリコン ,  横方向二重拡散MOSFET ,  破壊電圧 ,  抵抗について

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 絶縁破壊電圧 ,  オン抵抗